Infineon IRF7904PBF
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Infineon IRF7904PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Drain |
| Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
| Drain Current | 11 (Q2), 7.6 (Q1) A |
| Drain to Source On Resistance | 13 (Q2), 20.5 (Q1) mΩ |
| Drain to Source Voltage | 30 V |
| Forward Transconductance | 17 (Q1), 23 (Q2) S |
| Forward Voltage, Diode | 1 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.059" (1.5mm) |
| Input Capacitance | 1780 pF @ 15 V (Q2), 910 pF @ 15 V (Q1) |
| Length | 0.196" (5mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 1.4 (Q1), 2 (Q2) W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 90/62.5 Q1/Q2 DegC/W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 7.5 nC (Control FET), 14 nC (Synchronous FET) |
| Turn Off Delay Time | 10 (Q1), 15 (Q2) ns |
| Turn On Delay Time | 6.9 (Q1), 7.8 (Q2) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V (Q2), 7.5 nC @ 4.5 V (Q1) |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
| Width | 0.157" (4mm) |