Infineon IRF8010STRLPBF

MOSFET, 100V, 80A, 15 MOHM, 81 NC QG, D2-PAK

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Infineon IRF8010STRLPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Drain to Source On Resistance	15 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	82 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.19" (4.83mm)
Input Capacitance	3830 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	61 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Width	0 in