Infineon IRF8910GPBF

MOSFET, DUAL N-CHANNEL, 20V, 10A, SO-8, HALOGEN-FREE

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Infineon IRF8910GPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Source, Quad Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.5 mm
Drain Current	10 A
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	24 S
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	960 pF @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn On Delay Time	6.2 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	7.4 nC @ 4.5 V
Width	0.157" (4mm)