Infineon IRF8915TRPBF

IRF8915TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 8.9 A, 20 V, 8-Pin SOIC

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Infineon IRF8915TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	8.9 A
Drain to Source On Resistance	27 mOhms
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	12 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	540 pF @ 10V
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	7.1 ns
Turn On Delay Time	6 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	4.9 nC @ 4.5V
Width	0 in