Infineon IRF9310TRPBF
IRF9310TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 20 A, 30 V, 8-Pin SOICEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRF9310TRPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
| Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
| Drain Current | -20 A |
| Drain to Source On Resistance | 6.8 mOhms |
| Drain to Source Voltage | -30 V |
| Forward Transconductance | 39 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.059" (1.5mm) |
| Input Capacitance | 5250 pF @ -15 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 50 °C/W |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 2.5 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 58 nC |
| Turn Off Delay Time | 65 ns |
| Turn On Delay Time | 25 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ -15 V, 58 nC @ -4.5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -30 V |
| Width | 0 in |