Infineon IRF9952QTRPBF
MOSFET, DUAL N/P-CHANNEL, 30V, 3.5A, SO-8, Q101 QUALIFIEDEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRF9952QTRPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N, P |
| Configuration | Dual Drain |
| Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
| Drain Current | -2.3 (P), 3.5 (N) A |
| Drain to Source On Resistance | 0.15 (N), 0.400 (P) mΩ |
| Drain to Source Voltage | -30 (P), 30 (N) V |
| Forward Transconductance | 12 (N), 2.4 (P) S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 (P), 1.2 (N) V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.059" (1.5mm) |
| Input Capacitance | 190 pF @ -15 V (P), 190 pF @ 15 V (N) |
| Length | 0.196" (5mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | SO-8 |
| Power Dissipation | 2 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 13 (N), 20 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 6.2 (N), 9.7 (P) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.1 nC @ -10 V (P), 6.9 nC @ 10 V (N) |
| Width | 0.157" (4mm) |