Infineon IRFB3607GPBF

MOSFET, 75V, 80A, 9.0 MOHM, 56 NC QG, TO-220AB, HALOGEN-FREE

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Infineon IRFB3607GPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Drain Current	80 A
Drain to Source On Resistance	9 mΩ
Drain to Source Voltage	75 V
Forward Transconductance	115 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.65" (16.51mm)
Input Capacitance	3070 pF @ 50 V
Length	0.42" (10.67mm)
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Power Dissipation	140 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	43 ns
Turn On Delay Time	16 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	56 nC @ 10 V
Width	0.19" (4.83mm)