Infineon IRFB4410PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 8 Milliohms,ID 88A,TO-220AB,PD 200W,VF 1.3V

Estamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].

A nossa gama de produtos inclui uma grande variedade de opções Infineon e outros modelos. Se não encontrar o modelo que procura, pode enviar-nos um e-mail ou preencher o formulário de pedido de cotação. A nossa empresa oferece apenas produtos originais ou novos. Se tiver pedidos especiais a este respeito, não hesite em contactar-nos.

Nesta página, encontrará informações detalhadas sobre o produto Infineon IRFB4410PBF. A marca Infineon é reconhecida pelos seus componentes de alta qualidade utilizados em vários setores. O site oferece diferentes modelos de produtos Infineon, fornecendo opções adaptadas às suas necessidades.

Por favor, entre em contato connosco para fazer um pedido para o produto Infineon IRFB4410PBF ou para obter mais detalhes. Teremos todo o prazer em ajudá-lo a verificar o produto ou a explorar outros modelos.

Não hesite em contactar-nos. Estamos aqui para fornecer a peça certa da forma mais confiável. A satisfação do cliente e a qualidade do produto são as nossas principais prioridades. Estamos aqui para lhe proporcionar o melhor serviço.

Infineon IRFB4410PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.66 x 4.82 x 9.02 mm
Drain Current	88 A
Drain to Source On Resistance	10 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	120 sec
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.355" (9.02mm)
Input Capacitance	5150 pF @ 50 V
Length	0.419 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	200 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	120 nC
Turn Off Delay Time	55 ns
Turn On Delay Time	24 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	120 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in