Infineon IRFB4620PBF

IRFB4620PBF N-channel MOSFET Transistor, 25 A, 200 V, 3-Pin TO-220AB

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Infineon IRFB4620PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Drain Current	25 A
Drain to Source On Resistance	72.7 mOhms
Drain to Source Voltage	200 V
Forward Transconductance	37 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.65" (16.51mm)
Input Capacitance	1710 pF @ 50 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Power Dissipation	144 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	25.4 ns
Turn On Delay Time	13.4 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	17 nC @ 10 V
Width	0 in