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Infineon IRFB812PBF
Infineon IRFB812PBF
IRFB812PBF N-channel MOSFET Transistor, 3.6 A, 500 V, 3-Pin TO-220ABEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRFB812PBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Dimensions | 10.67 x 4.83 x 16.51 mm |
Drain Current | 3.6 A |
Drain to Source On Resistance | 2.2 Ohms |
Drain to Source Voltage | 500 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.65" (16.51mm) |
Input Capacitance | 810 pF V @ 25 |
Length | 0.42 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | TO-220AB |
Power Dissipation | 78 W |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Turn Off Delay Time | 24 ns |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC V @ 10 |
Width | 0 in |