Infineon IRFBE30SPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 800V,RDS(ON) 3 Ohms,ID 4.1A,D2Pak,PD 125W,VGS+/-20V,-55CEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRFBE30SPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Current | 4.1 A |
| Drain to Source On Resistance | 3 Ω |
| Drain to Source Voltage | 800 V |
| Forward Transconductance | 2.5 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.8 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | D2PAK |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 125 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1 °C/W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 78 nC |
| Turn Off Delay Time | 82 ns |
| Turn On Delay Time | 12 ns |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 800 V |