Infineon IRFH4255DTRPBF

MOSFET, 25V,25 A Power Block in PQFN 5x6 package

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Infineon IRFH4255DTRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual
Dimensions	5 x 6 x 0.9 mm
Drain Current	64/105 A
Drain to Source On Resistance	4.6/2.1 mΩ
Drain to Source Voltage	25 V
Forward Transconductance	131/182 S
Forward Voltage, Diode	1/0.75 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.035" (0.9mm)
Input Capacitance	nC
Length	0.236" (6mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	Dual PQFN
Power Dissipation	31/38 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	13/27 ns
Turn On Delay Time	10/10 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	10/23
Width	0.197" (5mm)