Infineon IRFH5015TRPBF

MOSFET, N-Channel, 150V, 56A, 31 mOhm, 33 nC Qg, PQFN

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Infineon IRFH5015TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	6.150 x 5.150 x 1.000 mm
Drain Current	44 A
Drain to Source On Resistance	31 mOhms
Drain to Source Voltage	150 V
Forward Transconductance	38 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.039" (1mm)
Input Capacitance	2300 pF @ 50 V
Length	0.242 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	PQFN
Power Dissipation	156 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	14 ns
Turn On Delay Time	9.4 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	36 nC @ 10 V
Width	0 in