Infineon IRFH5020TR2PBF

MOSFET, N-Channel, 200V, 41A, 59 mOhm, 36 nC Qg, PQFN

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Infineon IRFH5020TR2PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Dimensions	6.00 x 5.00 x 0.85 mm
Drain Current	34 A
Drain to Source On Resistance	55 mΩ
Drain to Source Voltage	200 V
Forward Transconductance	18 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.033" (0.85mm)
Input Capacitance	2290 pF @ 100 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	35 °C/W
Length	0.236" (6mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	PQFN
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	8.3 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	36 nC
Turn Off Delay Time	21 ns
Turn On Delay Time	9.3 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	36 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	200 V
Width	0.197" (5mm)