Infineon IRFH5300TR2PBF

IRFH5300TR2PBF N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 8-Pin QFN

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Infineon IRFH5300TR2PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Dimensions	6.00 x 5.00 x 0.85 mm
Drain Current	100 A
Drain to Source On Resistance	2.1 mΩ
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	190 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.033" (0.85mm)
Input Capacitance	7200 pF @ 15 V
Length	0.236" (6mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	PQFN
Power Dissipation	250 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	31 ns
Turn On Delay Time	26 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	120 nC @ 10 V, 50 nC @ 4.5 V
Width	0.197" (5mm)