Infineon IRFH7911TR2PBF
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Infineon IRFH7911TR2PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Drain, Dual Source |
| Dimensions | 6.000 x 5.000 x 0.950 mm |
| Drain Current | 13 (Q1), 28 (Q2) A |
| Drain to Source On Resistance | 14.5 (Q1), 4.0 (Q2) mΩ |
| Drain to Source Voltage | 30 (Q1), 30 (Q2) V |
| Forward Transconductance | 106 (Q2), 17 (Q1) S |
| Forward Voltage, Diode | 1 (Q1), 1 (Q2) V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.037" (0.95mm) |
| Input Capacitance | 1060 pF @ 15 V (Q1), 4450 pF @ 15 V (Q2) |
| Length | 0.236" (6mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | PQFN |
| Power Dissipation | 2.4 (Q1), 3.4 (Q2) W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 12 (Q1), 28 (Q2) ns |
| Turn On Delay Time | 12 (Q1), 22 (Q2) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34 nC @ 4.5 V (Q2), 8.3 nC @ 4.5 V (Q1) |
| Width | 0.197" (5mm) |