Infineon IRFHM830TR2PBF

MOSFET, 30V, 40A, 3.8 MOHM, PQFN 3.3X3.3

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Infineon IRFHM830TR2PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Dimensions	3.30 x 3.30 x 1.00 mm
Drain Current	40 A
Drain to Source On Resistance	6 mΩ
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	52 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.039" (1mm)
Input Capacitance	2155 pF @ 25 V
Length	0.129" (3.3mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	PQFN
Power Dissipation	37 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	13 ns
Turn On Delay Time	12 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	15 nC @ 4.5 V, 31 nC @ 10 V
Width	0.13" (3.3mm)