Infineon IRFIZ24NPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 0.07Ohm,ID 14A,TO-220 Full-Pak,PD 29W,-55C

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Infineon IRFIZ24NPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.63 x 4.83 x 9.80 mm
Drain Current	14 A
Drain to Source On Resistance	0.07 Ohms
Drain to Source Voltage	55 V
Forward Transconductance	4.5 sec
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.386" (9.8mm)
Input Capacitance	370 pF @ 25 V
Length	0.418 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220 Full-Pak
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	29 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	20 nC
Turn Off Delay Time	19 ns
Turn On Delay Time	4.9 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	20 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Width	0 in