Infineon IRFP250NPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 200V,RDS(ON) 0.075Ohm,ID 30A,TO-247AC,PD 214W,VGS +/-20V

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Infineon IRFP250NPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	15.90 x 5.30 x 20.30 mm
Drain Current	30 A
Drain to Source On Resistance	0.075 Ohms
Drain to Source Voltage	200 V
Forward Transconductance	17 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	± 20 V
Height	0.799" (20.3mm)
Input Capacitance	2159 pF @ 25 V
Length	0.625 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-247AC
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	214 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.7 °C/W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	123 nC
Turn Off Delay Time	41 ns
Turn On Delay Time	14 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 123 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	200 V
Width	0 in