Infineon IRFP4232PBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 250V,RDS(ON) 30 Milliohms,ID 60A,TO-247AC,PD 430W,VF 1VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRFP4232PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 15.87 x 5.31 x 20.70 mm |
| Drain Current | 60 A |
| Drain to Source On Resistance | 35.7 mΩ |
| Drain to Source Voltage | 300 V |
| Forward Transconductance | 95 S |
| Forward Voltage, Diode | 1 V |
| Gate to Source Voltage | ± 30 V |
| Height | 0.815" (20.7mm) |
| Input Capacitance | 7290 pF @ 25 V |
| Length | 0.625" <5/8> (15.875mm) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-247AC |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 430 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.35 °C/W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -40 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 160 nC |
| Turn Off Delay Time | 64 ns |
| Turn On Delay Time | 37 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 250 V |
| Width | 0.209" (5.31mm) |