Infineon IRFR120ZTRLPBF

MOSFET, 100V, 8.7A, 190 MOHM, 6.9 NC QG, D-PAK

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Infineon IRFR120ZTRLPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Drain Current	8.7 A
Drain to Source On Resistance	190 mΩ
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	16 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.094" (2.39mm)
Input Capacitance	310 pF @ 25 V
Length	0.264" (6.73mm)
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Power Dissipation	35 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	27 ns
Turn On Delay Time	8.3 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	6.9 nC @ 10 V
Width	0.245" (6.22mm)