Infineon IRFR15N20DTRPBF

MOSFET, 200V, 17A, 165 MOHM, 27 NC QG, D-PAK

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Infineon IRFR15N20DTRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.26 mm
Drain Current	17 A
Drain to Source On Resistance	0.165 Ω
Drain to Source Voltage	200 V
Forward Transconductance	4 S
Forward Voltage, Diode	1.5 V
Gate to Source Voltage	±30 V
Height	0.089" (2.26mm)
Input Capacitance	910 pF @ 25 V
Length	0.264" (6.73mm)
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Power Dissipation	140 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	17 ns
Turn On Delay Time	9.7 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	27 nC @ 10 V
Width	0.245" (6.22mm)