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Infineon IRFR220NPBF
Infineon IRFR220NPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 200V,RDS(ON) 600 Milliohms,ID 5A,D-Pak (TO-252AA),PD 43WEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRFR220NPBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Drain |
Dimensions | 6.73 x 6.22 x 2.39 mm |
Drain Current | 5 A |
Drain to Source On Resistance | 600 mOhms |
Drain to Source Voltage | 200 V |
Forward Transconductance | 2.6 S |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.094" (2.39mm) |
Input Capacitance | 300 pF @ 25 V |
Length | 0.264 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | DPAK |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 43 W |
Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 15 nC |
Turn Off Delay Time | 20 ns |
Turn On Delay Time | 6.4 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 200 V |
Width | 0 in |