Infineon IRFR540ZPBF

IRFR540ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 35 A, 100 V, 3-Pin DPAK

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Infineon IRFR540ZPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.26 mm
Drain Current	35 A
Drain to Source On Resistance	28.5 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	28 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.089" (2.26mm)
Input Capacitance	1690 pF @ 25 V
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Power Dissipation	91 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	43 ns
Turn On Delay Time	14 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	39 nC @ 10 V
Width	0 in