Infineon IRFS4227TRLPBF

MOSFET, 200V, 62A, 26 MOHM, 70 NC QG, D2-PAK

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Infineon IRFS4227TRLPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Drain Current	62 A
Drain to Source On Resistance	26 mOhms
Drain to Source Voltage	200 V
Forward Transconductance	49 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±30 V
Height	0.19" (4.83mm)
Input Capacitance	4600 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Power Dissipation	330 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-40 to +175 °C
Turn Off Delay Time	21 ns
Turn On Delay Time	33 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	70 nC @ 10 V
Width	0 in