Infineon IRFSL3607PBF

IRFSL3607PBF N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 75 V, 3-Pin TO-262

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Infineon IRFSL3607PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	10.67 x 4.83 x 9.65 mm
Drain Current	80 A
Drain to Source On Resistance	9 mOhms
Drain to Source Voltage	75 V
Forward Transconductance	115 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.38" (9.65mm)
Input Capacitance	3070 pF @ 50 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-262
Power Dissipation	140 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	43 ns
Turn On Delay Time	16 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	40 nC @ 10 V
Width	0 in