- Página inicial
- Marcas
- Infineon
- IRFU120NPBF
Infineon IRFU120NPBF
Infineon IRFU120NPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.21Ohm,ID 9.4A,I-Pak (TO-251AA),PD 48WEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
A nossa gama de produtos inclui uma grande variedade de opções Infineon e outros modelos. Se não encontrar o modelo que procura, pode enviar-nos um e-mail ou preencher o formulário de pedido de cotação. A nossa empresa oferece apenas produtos originais ou novos. Se tiver pedidos especiais a este respeito, não hesite em contactar-nos.
Nesta página, encontrará informações detalhadas sobre o produto Infineon IRFU120NPBF. A marca Infineon é reconhecida pelos seus componentes de alta qualidade utilizados em vários setores. O site oferece diferentes modelos de produtos Infineon, fornecendo opções adaptadas às suas necessidades.
Por favor, entre em contato connosco para fazer um pedido para o produto Infineon IRFU120NPBF ou para obter mais detalhes. Teremos todo o prazer em ajudá-lo a verificar o produto ou a explorar outros modelos.
Não hesite em contactar-nos. Estamos aqui para fornecer a peça certa da forma mais confiável. A satisfação do cliente e a qualidade do produto são as nossas principais prioridades. Estamos aqui para lhe proporcionar o melhor serviço.
Infineon IRFU120NPBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Drain |
Dimensions | 6.73 x 2.39 x 6.22 mm |
Drain Current | 9.4 A |
Drain to Source On Resistance | 0.21 Ohms |
Drain to Source Voltage | 100 V |
Forward Transconductance | 2.7 sec |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.245" (6.22mm) |
Input Capacitance | 330 pF @ 25V |
Length | 0.264 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | I-PAK |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 48 W |
Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 25 nC |
Turn Off Delay Time | 32 ns |
Turn On Delay Time | 4.5 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 25 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |
Width | 0 in |