Infineon IRFU3704ZPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 20V,RDS(ON) 6.7 Milliohms,ID 60A,I-Pak (TO-251AA),PD 48WEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRFU3704ZPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 6.73 x 2.39 x 6.22 mm |
| Drain Current | 60 A |
| Drain to Source On Resistance | 11.4 mΩ |
| Drain to Source Voltage | 20 V |
| Forward Transconductance | 41 sec |
| Forward Voltage, Diode | 1 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.245" (6.22mm) |
| Input Capacitance | 1190 pF @ 10 V |
| Length | 0.264" (6.73mm) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | I-PAK |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 48 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 3.0 deg C/W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 9.3 nC |
| Turn Off Delay Time | 4.9 ns |
| Turn On Delay Time | 41 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 20 V |
| Width | 0.094" (2.39mm) |