Infineon IRFU3910PBF

IRFU3910PBF N-channel MOSFET Transistor, 16 A, 100 V, 3-Pin TO-251

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Infineon IRFU3910PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.73 x 2.39 x 6.22 mm
Drain Current	16 A
Drain to Source On Resistance	0.115 Ohms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	6.4 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.245" (6.22mm)
Input Capacitance	640 pF @ 25 V
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	I-PAK
Power Dissipation	79 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	37 ns
Turn On Delay Time	6.4 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 44 nC @ 10 V
Width	0 in