Infineon IRFU5505PBF
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -55V,RDS(ON) 0.11Ohm,ID -18A,I-Pak (TO-251AA),PD 57WEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRFU5505PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual Drain |
| Dimensions | 6.73 x 2.39 x 6.22 mm |
| Drain Current | -18 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.11 Ω |
| Drain to Source Voltage | -55 V |
| Forward Transconductance | 4.2 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.6 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.245" (6.22mm) |
| Input Capacitance | 650 pF @ -25 V |
| Length | 0.264" (6.73mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | I-PAK |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 57 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 32 nC |
| Turn Off Delay Time | 20 ns |
| Turn On Delay Time | 12 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 32 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -55 V |
| Width | 0.094" (2.39mm) |