Infineon IRFZ34EPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.042Ohm,ID 28A,TO-220AB,PD 68W,VGS +/-20VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRFZ34EPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.54 x 4.69 x 15.24 mm |
| Drain Current | 28 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.042 Ω |
| Drain to Source Voltage | 60 V |
| Forward Transconductance | 7.6 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.6" (15.24mm) |
| Input Capacitance | 680 pF @ 25 V |
| Length | 0.414" (10.54mm) |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 68 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 30 nC |
| Turn Off Delay Time | 5.1 ns |
| Turn On Delay Time | 22 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 30 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |
| Width | 0.185" (4.69mm) |