Infineon IRFZ48VPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 12 Milliohms,ID 72A,TO-220AB,PD 150W,gFS 35S

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Infineon IRFZ48VPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.66 x 4.82 x 16.51 mm
Drain Current	72 A
Drain to Source On Resistance	12 mOhms
Drain to Source Voltage	60 V
Forward Transconductance	35 S
Forward Voltage, Diode	2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.65" (16.51mm)
Input Capacitance	1985 pF @ 25 V
Length	0.419 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	150 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	110 nC
Turn Off Delay Time	157 ns
Turn On Delay Time	7.6 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 110 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V
Width	0 in