Infineon IRL3302PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 20V,RDS(ON) 0.023Ohm,ID 39A,TO-220AB,PD 57W,VGS +/-10V

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Infineon IRL3302PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Drain Current	39 A
Drain to Source On Resistance	0.02 Ohm
Forward Transconductance	21 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	57 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	2.2 deg C/W
Series	HEXFET Series
Total Gate Charge	31 nC
Turn Off Delay Time	41 ns
Turn On Delay Time	7.2 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20 V