Infineon IRL520NSPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.18Ohm,ID 10A,D2Pak,PD 48W,VGS +/-16V,-55CEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRL520NSPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.83 mm |
| Drain Current | 10 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.26 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 100 V |
| Forward Transconductance | 3.1 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±16 V |
| Height | 0.19" (4.83mm) |
| Input Capacitance | 440 pF @ 25 V |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | D2PAK |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 48 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 20 nC |
| Turn Off Delay Time | 23 ns |
| Turn On Delay Time | 4 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 20 nC @ 5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |
| Width | 0 in |