Infineon IRLI520NPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.18Ohm,ID 8.1A,TO-220 Full-Pak,PD 30W

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Infineon IRLI520NPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.63 x 4.83 x 16.12 mm
Drain Current	8.1 A
Drain to Source On Resistance	0.26 Ohms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	3.1 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	± 16 V
Height	0.635" (16.12mm)
Input Capacitance	440 pF @ 25 V
Length	0.418 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	35 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	20 nC
Turn Off Delay Time	23 ns
Turn On Delay Time	40 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 20 nC @ 5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in