Infineon IRLL024NPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 0.065Ohm,ID 4.4A,SOT-223,PD 2.1W,VGS +/-16VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRLL024NPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 6.70 x 3.70 x 1.45 mm |
| Drain Current | 4.4 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.1 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 55 V |
| Forward Transconductance | 3.3 S |
| Forward Voltage, Diode | 1 V |
| Gate to Source Voltage | ±16 V |
| Height | 0.057" (1.45mm) |
| Input Capacitance | 510 pF @ 25 V |
| Length | 0.263 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | SOT-223 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 2.1 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 10.4 nC |
| Turn Off Delay Time | 18 ns |
| Turn On Delay Time | 7.4 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.4 nC @ 5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 55 V |
| Width | 0 in |