Infineon IRLML2502TRPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 20V,RDS(ON) 0.035Ohm,ID 4.2A,Micro3,PD 1.25W,VGS +/-12VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRLML2502TRPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 2.80 x 1.40 x 1.02 mm |
| Drain Current | 4.2 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.08 Ω |
| Drain to Source Voltage | 20 V |
| Forward Transconductance | 5.8 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±12 V |
| Height | 0.04" (1.02mm) |
| Input Capacitance | 740 pF @ 15 V |
| Length | 0.11" (2.794mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 1.25 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 8 nC |
| Turn Off Delay Time | 54 ns |
| Turn On Delay Time | 7.5 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8 nC @ 5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 20 V |
| Width | 0.055" (1.4mm) |