Infineon IRLML6302TRPBF
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.6Ohm,ID -0.78A,Micro3,PD 540mW,VGS +/-12VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRLML6302TRPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.40 x 1.02 mm |
| Drain Current | -0.62 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.9 Ω |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Forward Transconductance | 0.56 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ± 12 V |
| Height | 0.04" (1.02mm) |
| Input Capacitance | 97 pF @ -15 V |
| Length | 0.119" (3.04mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | Micro3 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 540 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 230 °C/W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 2.4 nC |
| Turn Off Delay Time | 22 ns |
| Turn On Delay Time | 13 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.4 nC @ -4.5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
| Width | 0.055" (1.4mm) |