Infineon IRLMS6702TRPBF
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.2Ohm,ID -2.4A,Micro6,PD 1.7W,VGS +/-12VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRLMS6702TRPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Quad Drain |
| Dimensions | 3 x 1.75 x 1.45 mm |
| Drain Current | -1.9 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.375 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Forward Transconductance | 1.5 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ± 12 V |
| Height | 0.057" (1.45mm) |
| Input Capacitance | 210 pF @ -15 V |
| Length | 0.118 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 6 |
| Package Type | Micro6 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 1.7 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 75 °C/W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 5.8 nC |
| Turn Off Delay Time | 21 ns |
| Turn On Delay Time | 13 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.8 nC @ -4.5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
| Width | 0 in |