Infineon IRLR3114ZPBF

MOSFET, N Ch., Automotive, 40V, 130A, 4.9 MOHM, 40 NC QG, D-PAK, Pb-Free

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Infineon IRLR3114ZPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Drain Current	130 A
Drain to Source On Resistance	6.5 mOhms
Drain to Source Voltage	40 V
Forward Transconductance	98 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±16 V
Height	0.094" (2.39mm)
Input Capacitance	3810 pF @ 25 V
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Power Dissipation	140 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	33 ns
Turn On Delay Time	25 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	40 nC @ 4.5 V
Width	0 in