Infineon IRLR8259TRPBF

IRLR8259TRPBF N-channel MOSFET Transistor, 57 A, 25 V, 3-Pin DPAK

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Infineon IRLR8259TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Drain Current	57 A
Drain to Source On Resistance	12.9 mOhms
Drain to Source Voltage	25 V
Forward Transconductance	55 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.094" (2.39mm)
Input Capacitance	900 pF @ 13 V
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Power Dissipation	48 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	9.1 ns
Turn On Delay Time	8.4 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	6.8 nC @ 4.5 V
Width	0 in