Infineon IRLR8729TRPBF

MOSFET, 30V, 58A, 8.9 MOHM, 10 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK

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Infineon IRLR8729TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Drain Current	58 A
Drain to Source On Resistance	11.9 mΩ
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	91 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.094" (2.39mm)
Input Capacitance	1350 pF @ 15 V
Length	0.264" (6.73mm)
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Power Dissipation	55 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	11 ns
Turn On Delay Time	10 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Width	0.245" (6.22mm)