Infineon IRLS4030-7PPBF

IRLS4030-7PPBF N-channel MOSFET Transistor, 190 A, 100 V, 7-Pin D2PAK

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Infineon IRLS4030-7PPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.35 x 6.85 x 4.35 mm
Drain Current	190 A
Drain to Source On Resistance	4.1 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	250 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±16 V
Height	0.171" (4.35mm)
Input Capacitance	11490 pF @ 50 V
Length	0.407 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	7
Package Type	D2PAK
Power Dissipation	370 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	110 ns
Turn On Delay Time	53 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	50 nC @ 4.5 V
Width	0 in