Infineon IRLU8256PBF

MOSFET, 25V, 81A, 5.7 MOHM, 10 NC QG, LOGIC LEVEL, I-PAK

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Infineon IRLU8256PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.73 x 2.39 x 6.22 mm
Drain Current	81 A
Drain to Source On Resistance	8.5 mΩ
Drain to Source Voltage	25 V
Forward Transconductance	81 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.245" (6.22mm)
Input Capacitance	1470 pF @ 13 V
Length	0.264" (6.73mm)
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	I-PAK
Power Dissipation	63 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	12 ns
Turn On Delay Time	9.7 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Width	0.094" (2.39mm)