Infineon IRLZ44ZPBF

Power MOSFET,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 11 Milliohms,ID 51A,TO-220AB,PD 80W,VGS+/-16V

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Infineon IRLZ44ZPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	10.67 x 4.83 x 9.02 mm
Drain Current	51 A
Drain to Source On Resistance	13.5 mOhms
Drain to Source Voltage	55 V
Forward Transconductance	27 V
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±16 V
Height	0.355" (9.02mm)
Input Capacitance	1620 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	80 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	24 nC
Turn Off Delay Time	25 ns
Turn On Delay Time	14 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	24 nC @ 5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Width	0 in