NTE Electronics, Inc. NTE123AP-5

Transistor, TO92, NPN, 40, 60, 6 V, 600 mA, 1 W @ 25C, -55 to 150 C, 357 C/W

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NTE Electronics, Inc. NTE123AP-5 Specifications

Property	Value
Collector Current	600 mA
Collector to Base Voltage	60 V
Collector to Emitter Voltage	40 V
Configuration	Common Base
Continuous Collector Current	600 mA
Device Dissipation	1 W
Dimensions	5.2 x 4.2 x 5.33 mm
Emitter to Base Voltage	6 V
Height	0.21" (5.33mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	357 °C⁄W
Length	0.204 in
Material	Si
Maximum DC Current Gain	300
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum DC Current Gain	20
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-92
Power Dissipation	625 mW
Resistance, Thermal, Junction to Case	125 °C⁄W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Temperature Range, Junction, Operating	-55 to 150 C
Transistor Polarity	NPN
Transistor Type	NPN
UPC Code	768249412410
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	40 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	0.75 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	1.2 V
Width	0 in