NTE Electronics, Inc. NTE154
NTE Electronics, Inc. NTE154
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NTE Electronics, Inc. NTE154 Specifications
Property | Value |
---|---|
Collector Current | 0.2 A |
Collector to Base Voltage | 300 V |
Collector to Emitter Voltage | 300 V |
Configuration | Common Base |
Device Dissipation | 7 W |
Diameter | 9.39 mm |
Dimensions | 9.39 Dia. x 6.6 H mm |
Emitter to Base Voltage | 7 V |
Height | 0.26" (6.6mm) |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 175 °C⁄W |
Material | Si |
Maximum Operating Temperature | +200 °C |
Minimum DC Current Gain | 20 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Operating Frequency | 50 MHz |
Package Type | TO-39 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 7 W |
Primary Type | Si |
Product Header | Silicon NPN Transistor |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 25 °C⁄W |
Series | Transistor Series |
Temperature Operating Range | Maximum of +200 °C |
Transistor Polarity | NPN |
Transistor Type | NPN |
Type | High Voltage |
UPC Code | 768249054214 |
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 300 V |
Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 1 V |
Voltage, Saturation, Base to Emitter | 0.85 V |