NTE Electronics, Inc. NTE219
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NTE Electronics, Inc. NTE219 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 15 A |
| Collector to Base Voltage | 100 V |
| Collector to Emitter Voltage | 60 V |
| Configuration | Common Base |
| Continuous Collector Current | 15 A |
| Diameter | 22.2 mm |
| Dimensions | 22.2 Dia. x 8.89 H mm |
| Emitter to Base Voltage | 17 V |
| Height | 0.35" (8.89mm) |
| Material | Si |
| Material Type | Silicon |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 2 |
| Operating Frequency | 2.5 MHz |
| Package Type | TO-3 |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 115 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Silicon Power Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1.52 °C/W |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +200 °C |
| Temperature Range, Junction, Operating | -65 to +200 C |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transistor Type | PNP |
| Type | Audio Amplifier, Power |
| UPC Code | 768249105312 |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 60 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 3 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 1.5 V |