NTE Electronics, Inc. NTE2302
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NTE Electronics, Inc. NTE2302 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 5 A |
| Collector to Base Voltage | 1500 V |
| Collector to Emitter Voltage | 800 V |
| Configuration | Common Base |
| Device Dissipation | 120 W (Collector) |
| Dimensions | 15.62 x 4.82 x 20.0 mm |
| Emitter to Base Voltage | 7 V |
| Height | 0.787" (20mm) |
| Length | 0.614 in |
| Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain | 8 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 3 MHz |
| Package Type | TO-3P |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 120 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Silicon NPN Transistor |
| Series | Bipolar Transistor Series |
| Temperature Operating Range | Maximum of +150 °C |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Type | NPN |
| Type | High Voltage |
| UPC Code | 768249106913 |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 800 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 5 V |
| Voltage, Saturation, Base to Emitter | 1.5 V |
| Width | 0 in |