NTE Electronics, Inc. NTE2382
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.27Ohm,ID 9.2A,TO-220,PD 50W,VGS +/-20VEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos NTE Electronics, Inc. com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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NTE Electronics, Inc. NTE2382 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Current | 9.2 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.27 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 100 V |
| Forward Transconductance | 4.1 S |
| Forward Voltage, Diode | 2.5 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.61" (15.49mm) |
| Input Capacitance | 400 pF @ 25 V |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 50 W |
| Product Header | Enhancement Mode Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 2.5 °C⁄W |
| Series | MOSFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 23 nC |
| Turn Off Delay Time | 19 ns |
| Turn On Delay Time | 8.8 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 23 nC @ 10 V |
| UPC Code | 768249113515 |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |